SIHB100N65E-GE3
Abbildung kann vom Original abweichen
Description:
N-CH 650V 30A 87mOhm TO-263
Hersteller:
VISHAY
Matchcode:
SIHB100N65E-GE3
Rutronik No.:
HVMOS1255
VPE:
50
MOQ:
50
Package:
TO-263
Verpackung:
TUBE
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- Configuration
- N-CH
- V(DS)
- 650 V
- I(D)at Tc=25°C
- 30 A
- RDS(on)at 10V
- 87 mOhm
- Q(g)
- 41 nC
- P(tot)
- 208 W
- R(thJC)
- 0.6 K/W
- Logic level
- NO
- Mounting
- SMD
- Technology
- E series
- Fast bodydiode
- NO
- Automotive
- NO
- Gehäuse
- TO-263
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Verpackung
- TUBE
- Zolltarifnummer
- 85412900000
- Land
- China
- Lieferzeit beim Hersteller
- 22 Wochen
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