IKW50N65ET7XKSA1
Abbildung kann vom Original abweichen
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- V(CE)
- 650 V
- I(C)
- 50 A
- V(CEsat)
- 1.35 V
- Gehäuse
- TO-247-3
- Bodydiode
- YES
- P(tot)
- 273 W
- Automotive
- NO
- t(r)
- 20 nS
- td(off)
- 370 nS
- td(on)
- 24 nS
- Befestigung
- THT
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Technologie
- IGBT7 T7
- Verpackung
- TUBE
- Hersteller Artikel
- SP005348292
- ECCN
- EAR99
- Zolltarifnummer
- 85412900000
- Land
- China
- ABC-Schlüssel
- A
- Lieferzeit beim Hersteller
- 21 Wochen
650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hard-switching 650 V, 50 A TRENCHSTOP™ IGBT7 discrete in TO-247 package with soft EC7 diode inside. This price performance optimized range has premium controllability for the better EMI while switching losses are lower than the former technologies.
Summary of Features
- Very low VCEsat
- Low turn-off losses
- Short tail current
- Reduced EMI
- Humidity robust design
- Very soft, fast recovery anti-parallel diode
- Maximum junction temperature 175°C
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
Applications
- Industrial drives
- Solutions for solar energy systems
- Uninterruptible Power Supply (UPS)
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