SP001100622

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Description: N-CH 800V 1,9A 2800mOhm TO251-3 Hersteller: INFINEON Matchcode: IPU80R2K8CE Rutronik No.: TMOSP11339 VPE: 75 MOQ: 1500 Package: TO-251 Verpackung: TUBE

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Parameter

Configuration: N-CH
V(DS): 800 V
I(D)at Tc=25°C: 1.9 A
RDS(on)at 10V: 2800 mOhm
Q(g): 12 nC
P(tot): 42 W
R(thJC): 3 K/W
Logic level: NO
Mounting: THT
Technology: CoolMOS CE
Fast bodydiode: NO
Automotive: NO
Gehäuse: TO-251
RoHS Status: RoHS-conform
Verpackung: TUBE

ECCN: EAR99
Zolltarifnummer: 85412900000
Land: Malaysia
ABC-Schlüssel: C
Lieferzeit beim Hersteller: 8 Wochen

Beschreibung

800V CoolMOS™ CE is Infineon’s high performance device family offering 800 Volts break down voltage. The CE targets Consumer Electronics applications as well as Lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS™ family, Infineon combines long experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. Summary of Features

Low specific on-state resistance (R DS(on)*A)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @ 400V
Low gate charge (Q g)
Field-proven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998

Benefits

High efficiency and power density
Outstanding price/performance
High reliability
Ease of use

Target Applications

LED Lighting

Menge

Bestand

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Abgekündigtes Bauteil

Letzte Bestellmöglichkeit beim Hersteller: 30.11.2016

Stückpreis

0,308 $

Gesamtwert

462,00 $

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		SP001593932 N-CH 800V 1,9A 2800mOhm TO251-3 Artikel-Nr.: TMOS1446 Package: TO-251 Verpackung: TUBE	Stückpreis 0,3548 $ VPE 75	Bestand 54 Wochen Abgekündigtes Bauteil	Preise, Lieferzeiten Alternativen finden Datenblatt