IKB40N65ES5ATMA1
Abbildung kann vom Original abweichen
Description:
IGBT 650V 79A 1,35V TO263-3
Hersteller:
INFINEON
Matchcode:
IKB40N65ES5
Rutronik No.:
IGBT2458
VPE:
1000
MOQ:
1000
Package:
TO263-3
Verpackung:
REEL
Alternativen finden
Datenblatt
Einfügen in Projektliste
Muster
Datenblatt
Einfügen in Projektliste
Muster
Download the free Library Loader to convert this file for your ECAD Tool
- V(CE)
- 650 V
- I(C)
- 79 A
- V(CEsat)
- 1.35 V
- Gehäuse
- TO263-3
- Bodydiode
- YES
- P(tot)
- 230 W
- Automotive
- NO
- t(r)
- 18 nS
- td(off)
- 130 nS
- td(on)
- 19 nS
- Befestigung
- SMD
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Technologie
- TRENCHSTOP
- Verpackung
- REEL
- Hersteller Artikel
- SP001502574
- ECCN
- EAR99
- Zolltarifnummer
- 85412900000
- Land
- Malaysia
- ABC-Schlüssel
- A
- Lieferzeit beim Hersteller
- 21 Wochen
Description:
Summary of Features
- Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C, 20% lower than TRENCHSTOP™ 5 H5
- ICn=four times nominal current (100°C Tc)
- Soft current fall characteristics with no tail current
- Symmetrical, low voltage overshoot
- Gate voltage under control (no oscillation). No risk of unwanted turn-on of device and no need for gate clamping
- Maximum junction temperature Tvj = 175°C
- Qualified according to JEDEC standards
Benefits
- VCE(peak) clamping circuits not required
- Suitable for use with single turn-on / turn-off gate resistor
- No need for gate clamping components
- Gate drivers with Miller clamping not required
- Reduction in the EMI filtering needed
- Excellent for paralleling
Target Applications
- battery-charger
Die Artikel im Warenkorb können Sie verbindlich bestellen, oder - falls Sie weitere Fragen haben - als unverbindliche Anfrage an uns schicken.
Der Rutronik24 Shop ist nur für Firmenkunden. Ein Verkauf an Privatkunden ist nicht möglich.
