AS4C512M16D3L-12BIN
Abbildung kann vom Original abweichen
Description:
DDR3 SDRAM 8Gb 512Mx16 800MHz
Hersteller:
Alliance Memory
Matchcode:
AS4C512M16D3L-12BIN
Rutronik No.:
ICDRAM1751
VPE:
170
MOQ:
170
Package:
BGA96
Verpackung:
TRAY
Alternativen finden
Einfügen in Projektliste
Muster
Download the free Library Loader to convert this file for your ECAD Tool
- Dichte
- 8G bit
- Organisation
- 512Mx16
- U(cc)
- 1.35 V
- Gehäuse
- BGA96
- T(a)MAX
- 95 C°
- T(a)MIN
- -40 C°
- Datenübertragung
- 1600Mbps
- Takt(geber)frequenz
- 800M Hz
- Automotive
- NO
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Verpackung
- TRAY
- ECCN
- EAR99
- Zolltarifnummer
- 85423239000
- Land
- Taiwan
- ABC-Schlüssel
- A
- Lieferzeit beim Hersteller
- 10 Wochen
Featuring state-of-the art silicon provided by Micron Technology, Inc., the AS4C512M16D3L (512M x 16) offers a double data rate architecture for extremely fast transfer rates of up to 1600 Mbps/pin and clock rates of 800 MHz and operates from a single +1.35-V power supply and is available with an industrial temperature range of -40 °C to +95 °C.
Die Artikel im Warenkorb können Sie verbindlich bestellen, oder - falls Sie weitere Fragen haben - als unverbindliche Anfrage an uns schicken.
Der Rutronik24 Shop ist nur für Firmenkunden. Ein Verkauf an Privatkunden ist nicht möglich.
| Nachfolgeartikel |
VPE
Stückpreis |
Bestand | |||
|---|---|---|---|---|---|
|
AS4C512M16D3LB-12BINDDR3 SDRAM 8Gb 512Mx16 800MHz Artikel-Nr.: ICDRAM2252 Package: BGA96 Verpackung: TRAY |
Stückpreis
31,45 $
VPE
180
|
Bestand
6 Wochen
|
Preise, Lieferzeiten
Alternativen finden
Datenblatt
| |
